sic板是指碳化硅板，
一、碳化硅材料的特性
SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶隙和三倍的熱導率。在半導體材料中形成器件結構所必需的 p 型和 n 型區域都可以在 SiC 中形成。這些特性使 SiC 成為一種極具吸引力的材料，可用于制造性能遠遠超過其 Si 同類產品的功率器件。SiC 器件可以承受更高的擊穿電壓，具有更低的電阻率，并且可以在更高的溫度下工作。
SiC 以多種多晶型晶體結構存在，稱為多型，例如 3C-SiC、6H-SiC、4H-SiC。目前4H-SiC在實際功率器件制造中通常是首選。直徑為3英寸至6英寸的單晶4H-SiC晶片可商購獲得。
圖 1 碳化硅材料的特性
2. 功率器件應用碳化硅材料的優勢
介電擊穿場強比Si高約10倍。可以將 SiC 器件制成具有更薄的漂移層和/或更高的摻雜濃度，即，它們具有非常高的擊穿電壓（600V 及更高），并且相對于硅器件具有非常低的電阻。高壓器件的電阻主要由漂移區的寬度決定。理論上，在相同擊穿電壓下，與Si相比，SiC可以將漂移層的單位面積電阻降低到1/300。
用于高壓、大電流應用的最流行的硅功率器件是 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）。使用 IGBT，以犧牲開關性能為代價實現了高擊穿電壓下的低電阻。少數載流子被注入漂移區以降低傳導（導通）電阻。當晶體管關斷時，這些載流子重新結合和“消散”需要時間，從而增加開關損耗和時間。相比之下，MOSFET 是多數載流子器件。利用SiC較高的擊穿場和較高的載流子濃度，SiC MOSFET因此可以結合功率開關的所有三個理想特性，即高電壓、低導通電阻和快速開關速度。
更大的帶隙也意味著 SiC 器件可以在更高的溫度下工作。當前 SiC 器件的保證工作溫度為 150 攝氏度 – 175 攝氏度。這主要是由于封裝的熱可靠性。如果包裝得當，它們可以在 200 攝氏度或更高的溫度下運行。
碳化硅肖特基勢壘二極管 (SBD) 的特性
擊穿電壓為 600V（遠遠超過硅 SBD 的上限）及以上的 SiC SBD（肖特基勢壘二極管）很容易獲得。與硅 FRD（快速恢復二極管）相比，SiC SBD 具有低得多的反向恢復電流和恢復時間，因此顯著降低了恢復損耗和噪聲發射。此外，與硅 FRD 不同，這些特性在電流和工作溫度范圍內不會發生顯著變化。SiC SBD 使系統設計人員能夠提高效率、降低散熱器的成本和尺寸、增加開關頻率以減小磁性元件的尺寸及其成本等。
SiC-SBD 越來越多地應用于開關電源中的功率因數校正器 (PFC) 和二次側橋式整流器等電路。今天的應用是空調、太陽能空調、電動汽車充電器、工業設備等。
ROHM目前的SiC SBD陣容包括600V和1,200V；額定電流范圍為 5A 至 40A。1,700V 設備正在開發中。
SiC在半導體中的好處
隨著電子設備和邏輯板的市場進一步增長，傳統硅的缺點日益凸顯，為此設計師和制造商一直在尋找更好，更智能的方法來制造這些重要組件。碳化硅就是這樣一個存在，由于碳化硅材料具有較大的禁帶寬度以及優異的導熱性能，相比傳統硅技術，碳化硅技術可以兼得高頻和高壓這兩個重要特性。而且相同規格的碳化硅芯片只有硅芯片十分之一大小，不僅如此，基于碳化硅技術的系統應用中，更少的散熱需求和更小的被動元器件導致整個裝置的體積也大大減小。
因此碳化硅功率半導體在普通硅半導體中脫穎而出，在電子電力、光電子以及微波通訊等領域均有著廣闊的應用前景。
電力行業是SiC功率半導體的重要市場之一，特別是由于其在大功率應用場合中仍然有較低的功耗。以SiC為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，可廣泛用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件。
用SiC制造的組件包括二極管，各種晶體管類型（例如MOSFET，JFET和IGBT）和柵極截止晶閘管，通過使用這樣的基本構建塊，可以創建更小，更輕，效率極高的電源模塊，用于將電源切換到負載或從負載切換電源以及進行轉換。用SiC襯底開發的電力電子器件可用在輸變電、風力發電、太陽能、混合動力汽車等電力電子領域，降低電力損失，減少發熱量，高溫工作，提高效率，增加可靠性。
早期用例，特斯拉已經將意法半導體的基于SiC MOSFET的功率模塊集成到Model 3逆變器中。Model 3具有一個主逆變器，該逆變器需要24個電源模塊，每個電源模塊均基于兩個碳化硅MOSFET管芯，每輛汽車總共有48個SiC MOSFET管芯。這些MOSFET由位于意大利卡塔尼亞的意法半導體晶圓廠制造。
早在2014年5月，豐田汽車宣布通過使用SiC功率半導體，將混合動力汽車的燃油效率提高10％（在日本國土交通省的JC08測試周期下），并減少了汽車的使用。與僅含Si功率半導體的當前PCU相比，功率控制單元（PCU）的尺寸縮小了80％。但由于SiC晶圓（基板）不足，豐田還未采用。
在光電子領域，SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導率高、器件尺寸小、抗靜電能力強、可靠性高等優點，是GaN系外延材料的理想襯底，由于其良好的熱導率，解決了功率型GaN-LED器件的散熱問題，特別適合制備大功率的半導體照明用LED，這樣大大提高了出光效率，又能有效的降低能耗。
在微波通訊領域，SiC作為一種寬帶隙的半導體材料，同時還具有較寬的工作頻帶，（0~400GHz），加之其優異的高溫特性，高擊穿電場，高熱導率和電子飽和速率等特性，在微波通訊領域也占有一席之地。實現了通訊器件的高效能，高機動，高波段和小型化的，特別是在X波段以上的T/R組件，5G通訊基站中的應用備受關注。
業內人士指出，電動汽車行業是SiC應用前景最廣闊的行業，SiC技術帶來的電池使用效率顯著提升以及電驅動裝置重量和體積的縮小正是電動汽車技術最需要的。而就目前來看，工業電源行業是SiC普及和應用率較高的行業，使用碳化硅產品可以顯著提升工業領域的電能利用效率。
那么碳化硅半導體有不利之處嗎？就目前而言，成本是將SiC技術引入更廣泛的電氣和電力產品中的少數明顯缺點之一。SiC半導體的價格可能是普通硅IGBT的五倍。但回顧過去十年，可以清晰的看到碳化硅市場一直在快速增長，這也得益于碳化硅材料端技術的發展，材料成本的不斷降低。因此各大公司都在大力擁抱SiC半導體，國內企業和投資者也在大力推動SiC產業的發展。
國內SiC產業動作頻頻
在全國“大基金”的帶動下，在過去的一年中，全國半導體總投資達到700多億元，其中SiC材料相關項目涉及65億。三安光電、中科鋼研、天通股份、比亞迪等企業已經開始在SiC襯底片項目進行布局。據業內從業人士透露，近幾年，國內的碳化硅市場增速非常快，在節能減排政策的大背景下，越來越多的國內客戶開始使用碳化硅器件來替代傳統硅器件方案，國內電源領域的標桿企業也都在大規模使用碳化硅器件。
為此，國內SiC產業陣容不斷擴大。相比于硅技術，國內碳化硅技術的發展更令人欣慰，畢竟國內外碳化硅技術的起跑線是相對接近的。可以看到無論是前端的襯底和外延，還是后端的器件和模組，國內都涌現了一批優秀的甚至在全球市場都有一席之地的企業，整個產業鏈已經接近實現全國產替代。
在襯底領域，我國有山東天岳、天科合達、河北同光、世紀金光、中電集團2所等；外延片領域有東莞天域、瀚天天成、世紀金光；在SiC功率器件研發制造方面，國內IDM企業有楊杰電子、基本半導體、蘇州能訊高能半導體、株洲中車時代、中電科55所、中電科13所、泰科天潤、世紀金光，Fabless有上海瞻芯、瑞能半導體，Foundry有三安光電；在模組方面，有嘉興斯達、河南森源、常州武進科華、中車時代電氣。
進入2020年來，企業和投資者關于SiC的動作不斷。3月12日，合肥市人民政府發布指出，世紀金光6英寸碳化硅項目落戶合肥，大基金持股10.55%。合肥產投資本管理的語音基金作為領投方參與了世紀金光C輪融資。世紀金光成立于2010年，致力于第三代寬禁帶半導體功能材料和功率器件研發與生產。近幾年來，世紀金光創新性地解決了高純碳化硅粉料提純技術、6英寸碳化硅單晶制備技術、碳化硅SBD、MOSFET材料、結構及工藝設計技術等，已完成從碳化硅材料生產、功率元器件和模塊制備到行業應用開發與解決方案提供等關鍵領域的全面布局，是國內第一家擁有SiC全產業鏈技術的半導體公司。
今年2月份，全國最大生產規模的碳化硅產業基地在山西正式投產。中國電科（山西）碳化硅材料產業基地一期項目共有300臺設備。山西爍科晶體有限公司總經理李斌介紹：“該碳化硅產業基地一期的300臺設備，一個月能生產1200塊碳化硅單晶，單塊的估值在10萬元左右，1200塊就是一個多億。”這個1000畝的產業園將串聯起山西轉型綜改示范區上下游十多個產業，帶動山西半導體產業集群迅速發展，實現中國碳化硅的完全自主供應。
還有也是在2月，比亞迪公布旗下中大型轎車漢EV首次應用自研“高性能碳化硅MOSFET電機控制模塊”，助其0-100km/h加速僅需3.9秒！這個成績刷新了之前由全新唐DM創造的4.3秒紀錄，讓漢EV成為比亞迪量產車家族的新加速冠軍。其電機控制器首次使用了比亞迪自主研發并制造的高性能碳化硅MOSFET控制模塊，碳化硅模塊能夠降低內阻，增加電控系統的過流能力，讓電機將功率與扭矩發揮到極致，大幅提升了電機的性能表現。
再往前時間段，2019年11月26日，露笑科技與中科鋼研、國宏中宇在北京簽署了《中科鋼研節能科技有限公司與國宏中宇科技發展有限公司與露笑科技股份有限公司碳化硅項目戰略合作協議》。這次三方進行共同合作，重點依托中科鋼研及國宏中宇在碳化硅晶體材料生長工藝技術方面已經取得的與持續產出的研發成果，結合露笑科技的真空晶體生長設備設計技術及豐富的裝備制造技術與經驗，共同研發適用于中科鋼研工藝技術要求的4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸級別的碳化硅長晶設備，目前首批2臺套升華法碳化硅長晶爐已經完成設備性能驗收交付使用，經過優化后的碳化硅長晶爐設備將應用于國宏中宇主導的碳化硅產業化項目中。
2019年8月，華為旗下的哈勃科技投資有限公司投資了國內領先的第三代半導體材料公司山東天岳，持股達10％。山東天岳公司成立于 2011 年 12 月，公司自主開發了全新的高純半絕緣襯底材料，目前量產產品以 4 英寸為主，此外其 4H 導電型碳化硅襯底材料產品主要有 2 英寸、3 英寸、4 英寸及 6 英寸。山東天岳還獨立自主開發了 6 英寸 N 型碳化硅襯底材料。公司已經實現寬禁帶半導體碳化硅材料產業化，技術水平達到國際領先。
另外，基本半導體用于電動汽車逆變器、對標特斯拉Model 3所采用器件的車規級全碳化硅MOSFET模塊已完成工程樣品開發，將聯合國內主流車廠開展測試。
直面國內外SiC產業的優劣勢
雖然我國在整個產業鏈上已有所布局，但不得不直面的事實是，目前全球碳化硅市場基本被國外企業壟斷。其中，尤以美國、歐洲、日本為大。美國的科銳Cree居于領導地位，占全球SiC產量的70%-80%；歐洲則擁有完整 SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈，代表公司為英飛凌、意法半導體等；日本更是設備和模塊開發方面的絕對領先者，代表企業為羅姆半導體、三菱電機等。
他們為何能夠占據絕大部分市場呢？主要是這些企業大都采用IDM模式，如科銳、羅姆和其他公司都在自己的工廠生產器件，并以自己的品牌銷售，基本覆蓋了碳化硅襯底、外延片、器件設計與制造全產業鏈環節，可以更好的加強成本控制與工藝品控的改進。總體來看，IDM模型適用于SiC。
雖然IDMs將繼續占據主導地位，但無晶圓廠和代工廠供應商也有發展空間。事實上，一些無晶圓廠的公司已經開始使用代工廠來生產產品。KLA的Raghunathan曾談到：“無晶圓廠模式允許初創企業和較小的公司在沒有重大工藝器件投資的情況下測試他們的產品。相反，傳統的晶圓廠保留了成為主要客戶選擇的戰略供應商的優勢。這兩種模式都在發揮各自的優勢，服務于當前工業景觀的多樣化需求，尋求共存的方式。”
與國外大廠相比，國內的SiC起步相對較晚，目前與美歐日這些公司在部分環節還存在一定的差距。但從整體產業鏈來看，相比于世界一流技術，我們大約是處于其五年前的水平階段，而且這個時間差正在逐漸縮小，部分技術環節甚至是齊頭并進。
具體來看，在SiC襯底方面，國外主流產品已經完成從4寸向6寸的轉化，并且已經成功研發8英寸SiC襯底片；而國內SiC襯底片市場現在以4英寸為主，6英寸目前還在研發過程中，產品的成品率相對較低。SiC器件成本高的一大原因就是襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%。SiC襯底不止貴，生產工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰非常大。所以大多數都是從科銳、羅姆或第三方供應商那里購買襯底。
在外延片方面，我國已經取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延產品可以實現本土供應，建成或在建一批專用的碳化硅晶圓廠等。比如瑞能的碳化硅二極管產品以及產業鏈上游的碳化硅外延產品，早已在國外市場和全球頂部廠商直接競爭。
在SiC功率器件方面，目前國內SiC功率器件制造商所采用的襯底片大多數都是進口。國外600-1700V SiC SBD、MOSFET已經實現產業化，主要產品集中于1200V以下。國內600-3300V SiC SBD研發初見成效，目前也向產業化方向實施，同時1200V/50A的SiC MOSFET也研發成功，中車時代、世紀金光、全球能源互聯網研究院、中電55所的6英寸SiC功率器件線已經啟動。
結語
作為全球半導體應用最大的國家，我國已經意識到發展第三代寬禁帶半導體產業的重要性。行業專家推測，在未來的5年的時間內，中國第三代半導體產業將會迎來一個“高潮期”。希望有更多的企業投入到碳化硅產業鏈的各個環節，同時希望行業內企業能沉下心來發展碳化硅技術，成熟的技術和可靠的產品才是產業化發展的重要基石。
sic板優缺點介紹：
使用SiC器件后，逆變器的轉換效率可以得到明顯提升，從而對于相同的電池包，使用SiC器件可以有效提高整車的行駛里程。
體積小，功率密度高
由于SiC器件具有損耗低的特點，因此，與Si器件相比，SiC器件只需要更小的芯片面積就可以實現相同的輸出功率。與此同時，SiC器件可以工作在高頻，有利于減小功率器件周邊無源器件的體積。聯合電子開發的SiC逆變器，在相同的功率等級下，體積比已批產的Si逆變器降低一半以上。
開關頻率高，優化系統噪聲
目前Si逆變器的常用開關頻率為5-10kHz，系統會產生5-20kHz的開關噪聲，該噪聲在人耳可以聽到的頻率范圍內，易使人產生不舒適感。而使用SiC器件后，通過提高開關頻率到40kHz，可以使得系統產生的開關噪聲頻率超過人耳可以聽到的頻率范圍。與此同時，開關頻率提升后有利于降低電流控制諧波，從而降低電磁噪聲，提高整車的行駛體驗。
但是目前使用SiC器件也存在很大的挑戰
SiC器件的價格較高
由于目前SiC芯片的工藝不如Si成熟，主要為4英寸晶圓，材料的利用率不高，而Si芯片的晶圓已經發展到8寸甚至12寸。另一方面，市場上對SiC芯片的需求也還未起量，也從另一方面導致了SiC芯片的成本比較高。
SiC器件封裝技術發展滯后
目前世界上很多主流功率器件供應商均對SiC芯片進行了研究與開發，但是相比之下，SiC器件的封裝技術的發展滯后。與Si芯片相比，SiC芯片的耐溫更高，其工作溫度甚至可以超過200度，但是目前SiC模塊所使用的封狀技術還是沿用Si模塊的設計，其可靠性和壽命均無法滿足200度的工作要求。SiC芯片的應用條件受到限制。
驅動保護技術
與Si芯片相比，SiC芯片的短路耐受能力大大降低，因此，為了防止SiC器件在運用過程中發生短路失效，需要驅動電路具備更低的響應時間，這對SiC器件驅動電路的保護技術提出了很大的挑戰。
熱設計
由于單個SiC芯片的面積較小，因此，為了實現大功率輸出，需要并聯使用更多的芯片數目。如何對模塊內部的芯片進行合理的layout設計以保證各芯片間的熱平衡，以及對芯片的熱點溫度進行監控，是一個很大的挑戰。
高開關速度帶來的EMI和絕緣問題
與Si器件相比，SiC器件的開關速度可以得到顯著提高，開關過程中的di/dt和dv/dt均得以提高，雖然這有助于減小器件的開關損耗，但是另一方面其會產生嚴重的EMI問題，如何對控制電路及濾波電路進行合理設計來對EMI進行抑制，也是一個重要的課題。與此同時，高dv/dt對電機繞組的絕緣帶來不利影響，可能會加速漆包線、絕緣環等絕緣件的老化，因此對電機的絕緣設計帶來了新的挑戰。
總結
雖然目前SiC器件的工藝不如Si成熟，SiC封裝的發展相對滯后，器件價格也比Si高出好幾倍。但是隨著器件工藝的成熟以及市場對SiC器件的需求越來越高，這些劣勢將會被逐步抹平，而SiC器件與生俱來的高耐壓、高開關頻率、低損耗等各方面的優勢，也決定了未來其可以作為一種非常有競爭力的材料得到越來越廣泛的運用。
